一种SiCMosfet电性能的测试装置
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810283089.5
申 请 日：20180402
申 请 人：重庆大学全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙坪坝沙正街174号
公 开 日：20180921
公 开 号：CN108562813A
代 理 人：唐开平
代理机构：重庆大学专利中心50201
摘 要：本发明公开了一种SiC Mosfet电性能的测试装置，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、执行机械压力条件下的测试，确认是否退出测试；步骤2、执行温度条件下的测试；确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。本发明的技术效果是：能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。??全部
主 权 项：1.一种SiC?Mosfet电性能的测试装置，其特征是：包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流，若是，执行机械压力条件下的测试，然后确认是否退出测试；步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流，若是，执行温度条件下的测试；然后确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，然后确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。
关 键 词：机械压力;退出测试;存储器;测试装置;温度条件;控制器;电性能;测试;处理器;处理器执行;电流检测器;电压检测器;计算机程序;变化关系;程序结束;电流测试;技术效果;手动控制;温控箱;构建;存储;重复
法律状态：
IPC专利分类号：G01R31/00(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I