含样品前处理膜的微流控芯片的制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200710078142.X
申 请 日：20070125
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20100526
公 开 号：CN101008594B
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所 50123
摘 要：本发明给出一种含样品前处理膜的微流控芯片及制备方法，芯片由底片和盖片两部分组成，底片以玻璃、硅、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或聚二甲基硅氧烷PDMS为基材，刻蚀有流体混合和反应的微通道网络；盖片采用PDMS制作并与底片封合，在与底片各微通道口对应位置，开有供微流体出入的导液孔，在底片与进样口正对的位置放置样品前处理膜，样品前处理膜通过双次浇注法原位嵌入盖片中，有效地实现了样品前处理膜与微流控芯片微管道网络一体化集成，制备得到了可用于复杂样品中待测目标组分纯化富集的含样品前处理膜的微流控芯片。由此形成的微流控分析芯片系统是可拆卸式复合结构，可重复使用，同时芯片分析系统的集成化程度、检测选择性和分析灵敏度均获得提高。
主 权 项：一种含样品前处理膜的微流控芯片的制备方法，所述芯片由底片和盖片两部分组成，底片以玻璃、硅、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或聚二甲基硅氧烷PDMS为基材，刻蚀有流体混合和反应的微通道网络；盖片采用PDMS制作并与底片封合，在与底片各流体通道口对应位置，开有供微流体出入的导液孔，在底片与进样口正对的位置放置样品前处理膜，样品前处理膜通过双次浇注法原位嵌入盖片中，具体包括以下制备步骤：(1)底片制备：在玻璃、硅基材上采用湿法刻蚀，在PMMA基材上采用热压印方法，或在PDMS基材上采用浇注成型方法，获得直线型、弯道型或其它类型的微通道网络，用于芯片上流体的混合和反应；(2)含膜盖片制备：通过双次浇注法将样品前处理膜嵌入盖片中，形成整体盖片结构单元：A、将样品前处理膜对应于底片上的进样口处，放置于与底片形状、尺寸大小均相同且内表面光洁的玻璃槽内，样品前处理膜中央贴放直径为1～5mm的圆形导管，在导管外围均匀浇注一层1～2mm厚的PDMS，将其放入烘箱内聚合；B、在由A步骤获得的结构基础上，在对应于底片其余流体通道口的位置上插上直径为2～3mm的导管用以开设导液孔，进行PDMS的第二次浇注，浇注的PDMS厚度控制在3～4mm，在烘箱内聚合，剥离下来即得所需盖片；(3)将含膜盖片与底片封合，并将盖片的导液孔与底片的流体通道口对准，形成含样品前处理膜的微流控芯片。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G01N1/34(2006.01)I;G01N30/08(2006.01)I