一种多级碳基铁镍氢氧化物的原位制备方法及其产品和应用
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810096168.5
申 请 日：20180131
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180720
公 开 号：CN108295855A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种多级碳基铁镍氢氧化物的原位制备方法及其产品和应用,该方法使用电化学方法在碳布上原位生长聚吡咯纳米线/针阵列,热处理制得以碳布为基底的多级碳基针状纳米线/针阵列,然后原位负载铁镍氢氧化物；该方法简单,成本低,并且制得的多级碳基纳米针/线阵列比表面积大,形貌可控,析氧催化性能好,可广泛运用于能源存储和转换领域。
主 权 项：1.一种多级碳基铁镍氢氧化物的原位制备方法,其特征在于,包括如下步骤：(1)以碳布为基底的多级碳基针状纳米线/针阵列的制备将亲水碳布作为工作电极,饱和甘汞电极作为参比电极,铂片为对电极构成三电极体系,放于电沉积电解液中,控制电压0.25V～1.0V#vs.SCE,沉积时间为5min～60min,用水冲洗干净,干燥,即制得长有聚吡咯纳米线阵列的碳布,再将长有聚吡咯纳米线阵列的碳布在H2\Ar气氛下,管式炉中400℃～800℃,热处理1～3小时,得到以碳布为基底的多级碳基针状纳米线/针阵列；所述电沉积电解液为吡咯的磷酸盐缓冲溶液；(2)多级碳基纳米线/针上生长铁镍氢氧化物以步骤(1)制得以碳布为基底的多级碳基针状纳米线/针阵列底物,通过水热法制备多级碳基铁镍氢氧化物。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：B01J23/755;B01J35/06;B01J37/08;B01J37/10;B01J37/34;H01M4/90