一种高输出幅度的X射线图像传感器
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410192257.1
申 请 日：20140508
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20160511
公 开 号：CN103928485B
代 理 人：张先芸
代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212
摘 要：本发明提供一种高输出幅度的X射线图像传感器，包括时序控制电路、像素单元电路、采样保持电路和输出缓冲电路，所述图像传感器中像元电路的电荷收集元与复位开关管合二为一。复位开关管采用PMOS晶体管结构，在P型衬底上制作的PMOS晶体管是制作在N阱中的，电荷收集元即为利用该N阱与P型衬底之间形成的二极管(N阱/P衬底二极管)。本发明改进的像元电路中将像元结构中的复位管由通常的NMOS晶体管改为PMOS晶体管，PMOS复位晶体管构建在形成电荷收集二极管的N阱结构中。这样PMOS晶体管同时起到了收集阱与复位管两种功能，一方面避免了引入多余N阱影响对辐射电荷收集的效果，另一方面由于复位晶体管由NMOS晶体管改为PMOS晶体管使得电荷收集元的阴极电压能够更好的复位到电源电压，从而提高信号电压输出幅度。
主 权 项：一种高输出幅度的X射线图像传感器，包括时序控制电路、M×N位像元电路、N位采样保持电路和输出缓冲电路，其特征在于，M×N位像元电路与N位采样保持电路以及输出缓冲电路在时序电路的控制下共同组成CMOS有源像素图像传感器；所述像元电路的收集元与复位晶体管合二为一，采用PMOS晶体管结构；所述像元电路由PMOS复位管、源随管、行选管和辐射电荷收集元构成；PMOS复位管连接NMOS源随管，源随管输出的电压通过行选管输出；所述辐射电荷收集元是在P型衬底上构建的N阱结构，在用作电荷收集元的N阱中通过P+注入形成源极与漏极，在该N阱结构中制作PMOS晶体管；将PMOS晶体管的衬底即N阱用于电荷收集，控制该PMOS晶体管的栅极以实现对电荷收集元的积分复位。
关 键 词：
法律状态：授权
IPC专利分类号：H01L27/146(2006.01)I