一种有机薄膜晶体管的制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201310169674.X
申 请 日：20130510
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20130821
公 开 号：CN103258960A
代 理 人：唐开平
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，它包括SiO2/Si基片的预处理，还包括基片的自组装处理：将十八磷酸溶于四氢呋喃中，配制1mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长十八磷酸膜；真空蒸镀有机模板层：将自组装有十八磷酸膜的基片置于真空蒸镀仪中，在真空压力小于1×10-4Pa下，在基片温度25-80℃下，蒸镀5~15nm?6,13-并五苯吡嗪（DAP）分子层；然后，在基片温度25-110℃下，蒸镀80nm红荧烯层，最后真空蒸镀金电极，制得红荧烯有机薄膜晶体管器件。本发明的优点是：能获得有序的晶体状红荧烯有机薄膜，提高了红荧烯有机薄膜晶体管的载流子迁移效率。
主 权 项：一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括SiO2/Si基片的预处理的步骤，其特征在于包括以下步骤：第一步SiO2/Si基片的预处理：将切割好的SiO2/Si基片置于丙酮中超声清洗10分钟，用氮气枪吹干之后将基片置于H2SO4?(98%)∶H2O2(30%)?=?7∶3?溶液中，在100℃下处理1小时；?取出后用去离子水清洗，氮气枪吹干，再置于NH3(30%)∶H2O2(30%)∶H2O?=?1∶1∶5溶液中，在70℃下处理20分钟，取出后用去离子水清洗，氮气枪吹干，基片清洁工作完成；第二步?基片的自组装处理：将十八磷酸溶于四氢呋喃中，配制1mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长十八磷酸膜，在140℃下真空干燥箱内反应48小时，然后取出，用四氢呋喃超声清洗处理后的SiO2/Si基片5分钟；第三步?真空蒸镀有机模板层：将自组装有十八磷酸膜的基片置于真空蒸镀仪中，在真空压力不大于1×10?4?Pa下，在基片温度25
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L51/40(2006.01)I