一种脊形波导结构及超辐射发光二极管
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201410304786.6
申 请 日：20140630
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20140917
公 开 号：CN201410304786.6
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种脊形波导结构，包括：中心矩形波导、第一锥形波导、第二锥形波导、第一单模矩形波导和第二单模矩形波导，所述第一锥形波导连接于中心矩形波导与第一单模矩形波导间，所述第二锥形波导连接于中心矩形波导与第二单模矩形波导间；所述第一锥形波导从与矩形波导接触面向第一锥形波导与第一单模矩形波导接触面沿伸，所述第一锥形波导的宽度减小；所述第二锥形波导从与中心矩形波导接触面向第二锥形波导与第二单模矩形波导接触面沿伸，所述第二锥形波导宽度减小。本发明所述的脊形波导结构采用级联倒锥形波导连接宽的矩形波导作为有源区，提高了器件饱和增益水平和输出功率，有效降低了热阻。
主 权 项：一种脊形波导结构，其特征在于：包括中心矩形波导(1)、第一锥形波导(2)、第二锥形波导(3)、第一单模矩形波导(6)和第二单模矩形波导(7)，所述第一锥形波导(2)连接于中心矩形波导(1)与第一单模矩形波导(6)间，所述第二锥形波导(2)连接于中心矩形波导(1)与第二单模矩形波导(7)间；所述第一锥形波导(2)从与矩形波导(1)接触面向第一锥形波导(2)与第一单模矩形波导(6)接触面沿伸，所述第一锥形波导(2)的宽度减小；所述第二锥形波导(3)从与中心矩形波导(1)接触面向第二锥形波导(3)与第二单模矩形波导(7)接触面沿伸，所述第二锥形波导(3)的宽度减小。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L33/58;H01L33/00;H01L33/52;H01L33/00;H;H01;H01L;H01L33;H01L33/58;H01L33/00;H01L33/52;H01L33/00