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专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN200910103915.4
申 请 日:20090522
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20130227
公 开 号:CN101552313B
代 理 人:侯懋琪
代理机构:重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102
摘 要:本发明公开一种磁场激励的LED在线检测方法,用交变磁场穿过由LED芯片与支架、焊线构成的闭合回路产生交变电流,通过检测该交变电流激发LED芯片产生的发光特性来实现对LED芯片的功能状态、性能参数以及封装过程中的电极引出的胶粘和焊接等工艺程序的质量问题的检测。本发明的有益技术效果是:克服了以往的检测技术所存在的需要直接接触LED芯片或仅能针对成品进行检测的技术弊端。能在LED芯片完成整个封装过程中,不接触LED芯片本身而快速地检测LED芯片的功能状态和性能参数以及封装过程中的电极引出的胶粘和焊接等工艺程序的质量问题。
主 权 项:1、一种磁场激励的LED在线检测方法,其特征在于:用交变磁场穿过由LED芯片与支架、焊线构成的闭合回路产生交变电流,通过检测该交变电流激发LED芯片产生的发光特性来实现对LED芯片的功能状态、性能参数以及封装过程中的电极引出的胶粘和焊接等工艺程序的质量问题的检测。
关 键 词:
法律状态:生效
IPC专利分类号:H01L33/00; G01N21/84; G01M11/02; H01L21/66