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专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN200410021685.4
申 请 日:20040114
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日:20041229
公 开 号:CN1557998A
代 理 人:郭吉安
代理机构:重庆大学专利中心
摘 要:一种电场沉积制备薄膜的方法,其主要工艺过程包括:(1)制备待沉积材料或其前驱体的颗粒在液体中的分散体系,(2)将待沉积薄膜的基材置入分散体系中,(3)由电源、导线、电极等组成沉积电路,通过沉积电路对分散体系施加沉积电场,(4)利用颗粒在电场中的有序受力和运动将其沉积在基材上形成薄膜。其特点是:沉积过程中,待沉积薄膜的基材和(或)其上的薄膜不与形成沉积电场的电路形成闭合电流回路。其主要优点是:可有效防止有害电极反应对沉积过程和沉积膜的危害。
主 权 项:1.一种电场沉积制备薄膜的方法,其工艺过程包括:(1)制备待沉积材料或其前驱体的颗粒在液体中的分散体系,(2)将待沉积薄膜的基材置入分散体系中,(3)由电源[1]、导线[2]、电极[4]等组成沉积电路,通过沉积电路对分散体系施加沉积电场,(4)利用颗粒在电场中的有序受力和运动将其沉积在基材上形成薄膜;其特征是在沉积过程中,待沉积薄膜的基材[5]和其上的薄膜[6]不与沉积电路形成闭合电流回路。
关 键 词:
法律状态:终止
IPC专利分类号:C25D15/00; C25D13/00