专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201610398635.0
申 请 日:20160607
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日:20180629
公 开 号:CN106086992B
代 理 人:胡荣珲
代理机构:重庆志合专利事务所(普通合伙) 50210
摘 要:本发明涉及一种镁合金表面双羟基金属氧化物(LDH)封闭膜层的制备方法,该方法直接以阳极氧化镁为镁源,通过原位生长液在阳极氧化后的镁合金表面原位生长一层LDH膜层,其不仅可以对镁合金阳极氧化膜表面的孔洞进行有效封闭,避免侵蚀性介质与镁合金基体直接接触,更增加了防护层的厚度,明显提高了防护层的耐蚀性。本发明所述方法采用的试剂为无机盐类试剂,对环境友好,所述试剂为市售产品,因此成本低。
主 权 项:1.?一种镁合金表面双羟基金属氧化物封闭膜层的制备方法,其特征在于,有以下步骤:1)配制原位生长液配置硝酸铝浓度为0.05M、硝酸铵浓度为0.3M的原位生长液,并调节原位生长液的pH为9~12.3;2)原位生长取经过阳极氧化的镁合金试样,超声波清洗后,放进步骤1)调节pH后的原位生长液中,高压下,于100~150℃恒温加热1h~12小时;3)干燥取出处理后的镁合金试样,超声清洗后,再用去离子水冲洗,干燥,得到表面LDH封闭膜层的镁合金试样。
关 键 词:镁合金表面;双羟基金属氧化物;阳极氧化;原位生长;防护层;封闭膜;制备;阳极氧化膜表面;孔洞;镁合金基体;侵蚀性介质;环境友好;无机盐类;镁合金;耐蚀性;镁源;膜层;封闭
法律状态:授权
IPC专利分类号:C25D11/30(2006.01)I