柔性高通量细胞电融合微电极阵列芯片装置
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200810070159.5
申 请 日：20080822
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20121205
公 开 号：CN101343613B
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所 50123
摘 要：本发明提出了一种柔性高通量细胞电融合微电极阵列芯片装置，由阵列芯片和融合池组成。阵列芯片以柔性透明聚酰亚胺薄膜为基底，下表面通过蚀刻形成交叉梳状阵列化微电极组，电极组由两个相互交叉、互不接触、电气结构上互不连接的梳状微电极阵列电极构成，电极组内部微电极之间的微通道为工作通道；阵列芯片倒扣于融合池上，其上的交叉梳状阵列化微电极组与细胞电融合池相对应，落于细胞电融合池中。该芯片装置具备使用方便，加工方法简单，成本极为低廉，对操作人员及细胞无伤害等特点，可广泛应用于遗传学、动植物远缘杂交育种、发育生物学、药物筛选、单克隆抗体制备、哺乳动物克隆等领域。
主 权 项：1.一种柔性高通量细胞电融合微电极阵列芯片装置，其特征在于：芯片装置由阵列芯片和细胞电融合池组成；所述阵列芯片以柔性透明聚酰亚胺薄膜为基底，在柔性透明聚酰亚胺薄膜基底上采用柔性印刷电路板加工技术，形成从上至下以镀金层-铜箔层-聚酰亚胺薄膜-铜箔层-镀金层构成的纵向层状结构；在所述结构的下表面通过蚀刻聚酰亚胺薄膜上的铜箔层形成交叉梳状阵列化微电极组，交叉梳状阵列化微电极组由两个相互交叉、互不接触、电气结构上互不连接的梳状微电极阵列电极构成，梳状微电极阵列电极经过孔与芯片上表面蚀刻铜箔层形成的引线相连，经引线上的焊盘焊接引线引入外界电刺激信号；电极组内部微电极之间的微通道为工作通道；所述细胞电融合池是在玻璃或有机玻璃硬质透明材料中央区域加工矩形凹槽而形成，细胞电融合池的四周池壁加工有与外界连通的进、出样孔，阵列芯片倒扣于细胞电融合池上，其上的交叉梳状阵列化微电极组与细胞电融合池相对应，落于细胞电融合池中。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：C12M1/42