一种降解偏二甲肼的恶臭假单胞菌C2及其降解偏二甲肼的方法

专利类型：发明专利

语言：中文

申请号：CN201310331923.0

申请日：20130802

发明人：谭世语赵辉王力夏本立郭骅赵亚楠黄兆云刘又畅

申请人：重庆大学

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

公开日：20140326

公开号：CN103667098A

代理人：

代理机构：

摘　　要：本发明公开了一种降解偏二甲肼的恶臭假单胞菌C2，并提供了一种利用恶臭假单胞菌C2降解偏二甲肼的方法。所述方法的步骤为：将恶臭假单胞菌C2的菌种接种于斜面培养基，经培养得到斜面培养物；将所述斜面培养物接种于装有培养液的锥形瓶中培养，得到种子富集液；将所述种子富集液投加到膜生物反应器中，闷曝24～32h后，运行膜生物反应器对偏二甲肼废水进行处理。本发明对浓度为50mg/L的偏二甲肼的去除率为99.76％，对浓度为90mg/L的偏二甲肼的去除率为99.6％。

主权项：一种降解偏二甲肼的恶臭假单胞菌C2，其特征在于，该恶臭假单胞菌C2作为降解偏二甲肼的菌种，所述恶臭假单胞菌C2的保藏编号为CGMCC?No.7590。

关键词：

法律状态：生效

IPC专利分类号：C12N1/20(2006.01)I;C02F3/34(2006.01)I;C12R1/40(2006.01)N;C02F101/38(2006.01)N