专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201810312767.6
申 请 日:20180409
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日:20180914
公 开 号:CN201810312767.6
代 理 人:赵荣之
代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要:本发明公开了一种高口径效率笔形波束的水平极化全息天线,属于天线技术领域。该天线包括负责漏波辐射的超表面部分和馈电部分,所述超表面部分由主模为TE模式和主模为TM模式的两部分超表面结构组成,包含有通过正弦调制的、单元周期相同的贴片形和环槽形单元组成;所述50欧姆集总端口对环槽形部分直接进行馈电。本发明具有双向的笔锥形辐射方向图、高增益、高口径效率,并且天线结构的剖面高度低。
主 权 项:1.一种高口径效率笔形波束的水平极化全息天线,其特征在于:该天线包含介质基板,超表面部分和馈电部分,所述超表面部分用于漏波辐射;所述超表面部分由主模为TE模式的贴片形超表面和主模为TM模式的环槽形超表面两部分结构组成,分别为贴片形单元区和环槽形单元区,所述贴片形单元区和环槽形单元区均通过正弦调制且单元周期相同,所述贴片形单元区包含多个贴片形单元,所述环槽形单元区包含多个环槽形单元;所述贴片形单元区与环槽形单元区相互间隔,任一贴片形单元区紧邻两个环槽形单元区,且每个所述贴片形单元和环槽形单元均贴合在所述介质基板的上表面;在所述贴片形单元区与环槽形单元区交汇的中心还设置有50欧姆集总端口,所述50欧姆集总端口用于对环槽形单元直接进行馈电。
关 键 词:口径效率;天线;波束;水平极化;环槽形;全息;笔形;馈电;主模;天线技术领域;辐射方向图;表面结构;单元周期;漏波辐射;天线结构;正弦调制;笔锥形;高增益;双向的;总端口;贴片
法律状态:生效
IPC专利分类号:H01Q1/36;H01Q1/00;H01Q1/38;H01Q1/00;H01Q1/50;H01Q1/00;H;H01;H01Q;H01Q1;H01Q1/36;H01Q1/00;H01Q1/38;H01Q1/00;H01Q1/50;H01Q1/00