基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片及其加工工艺
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200810070334.0
申 请 日：20080919
申 请 人：重庆大学
申请人地址：重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20110504
公 开 号：CN101368155B
代 理 人：康海燕
代理机构：重庆华科专利事务所 50123
摘 要：本发明提出了一种基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片及其加工工艺，它由外壳、固定于外壳内的微电极阵列芯片、连通外壳内外的进出样导管和封装在外壳表面的硅玻璃片组成；所述微电极阵列芯片从下至上依次由硅质基底层、二氧化硅绝缘层、低阻硅电极层和二氧化硅保护膜构成，采用微加工技术在绝缘体上硅材料的低阻硅电极层上刻蚀凹槽至二氧化硅绝缘层形成微电极结构，外界电信号借助微通道的微尺度和排布，可在其内部形成足够强度的梯度电场，提高细胞电融合效率。同时，该芯片上构造的直线型微通道有助于细胞悬浮液的流动，尽可能低的降低细胞在流动过程中的黏附，开展连续流的细胞电融合实验，可近似于提供无限量的融合后细胞。
主 权 项：1.一种基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片，其特征在于：它由外壳、固定于外壳内的微电极阵列芯片、连通外壳内外的进出样导管和封装在外壳表面的硅玻璃片组成；所述微电极阵列芯片采用绝缘体上硅材料，从下至上依次由硅质基底层、二氧化硅绝缘层、低阻硅电极层和二氧化硅保护膜构成，采用微加工技术在低阻硅电极层上刻蚀凹槽至二氧化硅绝缘层形成微电极阵列结构，微电极阵列结构与上下的硅玻璃片和二氧化硅绝缘层组成了微通道，所述微通道为直线型，在芯片上集成至少两条，微通道两端的进样口和出样口与导管相连，开展细胞的连续流电融合，微电极阵列结构经引线与外壳底部对应引脚相连，微电极之间的直线型微通道为工作通道。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：C12M1/42