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一种高纯钽溅射靶材的加工工艺
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201010599296.5
申 请 日：20101221
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400045 重庆市沙坪坝区正街174号重庆大学材料学院
公 开 日：20120926
公 开 号：CN102000702B
代 理 人：逯长明
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司 11227
摘 要：本发明公开了一种高纯钽溅射靶材的加工工艺，将锻造开坯后的钽溅射靶材圆坯进行轧制处理，其特征在于，在轧制过程中每轧制一道次将轧制方向旋转135°后进行轧制，且道次压下量的弧厚比控制在2～3。总轧制道次需与弧厚比及总的形变量配合，总形变量为90％。采用本发明提供的加工工艺，通过调整工艺参数，可将溅射面的晶粒尺寸控制在100±20μm，γ织构的含量可以控制在30-60％，随机织构含量可以控制在30-60％。溅射面心、中、边晶粒尺寸及织构分布皆可以达到以上标准，沿厚度方向晶粒尺寸可以控制在100±15μm。以上晶粒尺寸及织构分布可以完全满足工业生产需求，加工工艺简单，控制手段可靠有效。
主 权 项：一种高纯钽溅射靶材的加工工艺，将锻造开坯后的钽溅射靶材圆坯进行轧制处理，其特征在于，在轧制过程每轧制一道次将轧制方向旋转135°后进行轧制，直至轧制一周，且道次压下量的弧厚比控制在2～3。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：C23C14/34; B21B37/00