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已选条件:
  • 发明人=黄亨健x
排序:
p型单晶硅片的表面处理方法

申请号:CN200610054245.8

申请日:20060425

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:一种p型单晶硅片的表面处理方法,用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片,然后对p型多孔单晶硅片进行后处理,得到具有发光强度高且在空气中长...
p型单晶硅片的表面处理方法

申请号:CN200610054245.8

申请日:20060425

申请人:重庆大学

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摘要:一种p型单晶硅片的表面处理方法,用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片,然后对p型多孔单晶硅片进行后处理,得到具有发光强度高且在空气中长...
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