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基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极
申请号：CN201010209435.9
申请日：20100625
申请人：重庆大学
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摘要：
本发明公开了一种基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极，该阴极自下而上由双抛光的c面蓝宝石衬底、AlxGa1-xN组分渐变缓冲层、p型GaN发射层以及Cs或Cs/O激活层组成；AlxGa1-xN组分渐变缓冲层由n个...
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