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  • 发明人=王胜强x
排序:
MEMS圆片级真空封装结构及方法

申请号:CN201510278031.8

申请日:20150527

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装结构及方法,所述封装结构包括绝缘衬底、MEMS芯片结构层和盖板,三者通过圆片级键合方式连接成一体,形成真空腔室。本发明在第一键合环中心设计有不完全闭合的第二键合环,同时利用阳极键合与...
MEMS圆片级真空封装结构及方法

申请号:CN201510278031.8

申请日:20150527

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装结构及方法,所述封装结构包括绝缘衬底、MEMS芯片结构层和盖板,三者通过圆片级键合方式连接成一体,形成真空腔室。本发明在第一键合环中心设计有不完全闭合的第二键合环,同时利用阳极键合与...
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