检索结果分析
- 一种铁电栅介质CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法
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申请号：CN201710523329.X
申请日：20170630
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于微纳光电探测器领域，具体涉及一种基于PZT铁电薄膜栅介质的CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法。该器件为背栅结构，主要包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质和衬底。其中，沟道材料为In掺杂的CdSe纳米线，栅极为金...
- 一种基于铁电栅介质和薄层二硫化钼沟道的光电晶体管
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申请号：CN201710497580.3
申请日：20170627
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于微纳半导体光电子器件领域，具体涉及一种基于铁电栅介质和薄层MoS2沟道的光电晶体管及其制备方法。该器件包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质、金属焊盘和衬底。源极和漏极为石墨烯，沟道为薄层MoS2，栅介质为PZT铁...
- 一种石墨烯薄膜电极电容式微加速度计及其制备方法
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申请号：CN201710464017.6
申请日：20170619
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种以石墨烯薄膜作为电极的电容式微加速度计及其制备方法，属于微电子机械系统领域。该电容式微加速度计主要包括上、下盖帽层、可动结构层和电极层。本发明的主要特征是用石墨烯薄膜取代了传统电容式微加速度计中的金属或低...