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  • 发明人=刘园园x
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一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺

申请号:CN201210347572.8

申请日:20120919

申请人:重庆大学

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摘要:一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺,属于功能薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法制备一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜,其膜层结构从衬底基片往上依次为:内层氮化铝钛介质层、银层、外层氮化铝钛介质层。该膜层可见光透过率高,红...
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