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一种具有沟槽隔离栅极结构的超结IGBT
申请号：CN201810229398.4
申请日：20180320
申请人：重庆大学
浏览量：0
摘要：
本发明涉及一种具有沟槽隔离栅极结构的超结IGBT，属于半导体功率器件技术领域，包括半导体基板，半导体基板包含依次层叠设置的集电极金属层(10)，P+集电区(9)和第一导电类型缓冲层(8)，第一导电类型缓冲层(8)的上表面...
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